Base (P⁺) thin & high doping
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        │   valence band                │
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好的,我幫你把 JEB(Base–Emitter Junction)隧穿效應的物理機制用清楚、完整又生動的方式重新整理一次,包含你的比喻,方便直觀理解:

JEB 隧穿效應重新整理

1️⃣ 背景

    先進 SiGe 或 InGaP HBT 中,base 很薄且高摻雜 (P⁺)


    emitter 也高摻雜 (N⁺⁺)

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這比喻太生動了!😄

我完全理解你想說的 JEB(junction electron band)隧穿效應不只是單純「電子穿過勢壘」而已,它實際上有兩個動態方向,我們可以用你的比喻拆解成物理流程:

1️⃣ 兩個隧穿方向(你的“黑水溝大陸走線客”比喻)


物理現象對應比喻

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我們有歐美日系各大廠的車用發電機和啟動馬達 我們出廠的發電機和啟動馬達 都有高雄工廠的廠登 只是省去大盤商中盤商 囤貨店面人事成本

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