我們要分析的電流係通過串聯的氮化矽與二氧化矽，從物理直觀看來，這個電流該是
由氮化矽或二氧化矽造成的穿隧電流取其小者主導，隨著電場與溫度的變化，兩
種穿隧機制的主從關係會隨之改變。在低電場下，F-P 穿隧會先發生，F-N 穿隧
則否；在高電場下，F-N 穿隧才有機會發生，F-P 穿隧依舊會發生，但被不同深
度陷阱所捕捉的電荷會隨著溫度的變化而有明顯的熱放射(Thermal Emission)，使
得F-P 穿隧效應增強了，而F-N 穿隧則完全決定於能障減少的寬度來決定電流大

 

arrow
arrow
    全站熱搜

    光宇 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

    E-mail轉寄